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专利名称:一种新型亚微米级放射性薄膜源及其制备方法

文章来源: 发布时间: 2021-04-02

专利名称:一种新型亚微米级放射性薄膜源及其制备方法

申 请 号 

CN201810884647.3

申 请 日 

2018-08-06

公开(公告)号

CN109119179B

公开(公告)日 

2020-10-30

申请(专利权)人 

中国科学院合肥物质科学研究院

发 明 人 

韩运成;吴宜灿;李桃生;季翔; 王永峰

专利类型 

发明专利

摘 要 

本发明涉及一种新型亚微米级放射性薄膜源及其制备方法,属于薄膜制备技术领域。所述薄膜源由石墨烯层和亚微米级放射性薄膜组成,亚微米级放射性薄膜沉积附着在石墨烯层表面;所述的亚微米级放射性薄膜中放射性物质为含β放射性同位素或α放射性同位素的单质、化合物或混合物。所述方法步骤如下:首先在衬底材料上沉积石墨烯,然后在石墨烯层上沉积制备亚微米级放射性薄膜,之后将衬底材料置于衬底溶解液中,溶解衬底材料,最后冲洗,干燥后得到。所述薄膜源满足自支撑薄膜的使用要求且不影响放射源性能。本发明所述的制备方法简单,极大促进亚微米级薄膜放射源的应用范围。

主权项 

1.一种新型亚微米级放射性薄膜源,其特征在于:所述薄膜源由石墨烯层和亚微米级放射性薄膜组成,亚微米级放射性薄膜沉积附着在石墨烯层表面;所述亚微米级放射性薄膜中放射性物质为含 β 放射性同位素或 α 放射性同位素的单质、化合物或混合物。 2.如权利要求 1 所述的一种新型亚微米级放射性薄膜源,其特征在于:所述 β 放射性同位素为 3H、63Ni、90Sr、137Cs、144Ce 或 147Pm;所述 α 放射性同位素为 210Po、226Ra、238Pu、241Am 或 244Cm。 3.如权利要求 1 所述的一种新型亚微米级放射性薄膜源,其特征在于:所述的亚微米级放射性薄膜(1)厚度为 100~1000nm,薄膜面积为 1~ 100cm2。 4.如权利要求 1 所述的一种新型亚微米级放射性薄膜源,其特征在于:所述的石墨烯层厚度为 0.3~20nm。

IPC信息 

IPC主分类号 

G21H1/00

IPC分类号 

G21H1/00

       ?G 物理

         ?G21 核物理;核工程

            ?G21H 从放射源取得能量;放射源辐射的应用;宇宙射线的利用

              ?G21H1 从放射源取得电能的装置,例如,从放射性同位素

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